功能描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：400mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-92-3

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

基本零件编号：2N7000

标准包装：1

2N7000G

2N7000-G

2N7000KL-TR1

2N7000KL-TR1-E3

2N7000LEADFREE

2N7000-NL

2N7000P

2N7000-Q

2N7000RLRA

2N7000RLRAG